杭州电子科技大学2026年10月至11月政府采购意向
杭州电子科技大学2026年10月至11月采购MPW流片服务，预算189万元，预计11月采购
公告正文
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将杭州电子科技大学2026年10月至11月采购意向公开如下：
| 采购单位 | 杭州电子科技大学 |
|---|---|
| 采购项目名称 | MPW流片服务采购 |
| 预算金额（元） | 1890000.00 |
| 预留中小企业采购份额 | 否 |
| 落实政府采购政策功能情况 | 落实政府采购相关政策 |
| 预计采购时间 | 2026年11月 |
| 采购需求概况 | 标的名称： 180nm BCD 流片服务 数量/单位： 1 Block 预算金额（元）： 350000.00 采购目录： C99000000其他服务 需实现的主要功能或者目标： 功能：基于180 nm BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺平台开展集成电路芯片流片，含电阻、电容等无源器件，以及BGA等有源电路芯片，实现对应元器件设计方案的实物制造，完成科研项目对应的技术要求。 目标：流片服务应满足对应元器件设计与制造的工艺兼容性要求，支持功能验证、关键性能测试及科研研究需求，为后续电路性能评估、设计优化和相关技术研究提供实物支撑。 需满足的质量、服务、安全、时限等要求： 1.符合180 nm BCD 工艺平台的技术规范和设计规则要求。 2.流片制造应依据确认后的设计数据及工艺方案实施，交付芯片的数量、规格和相关资料应符合约定要求，确保交付内容完整、质量可追溯。 ； 提供基于 180 nm BCD 工艺平台的芯片流片服务，包含流片数据接收与完整性检查、工艺兼容性确认、芯片制造、进度反馈及成品交付，并提供必要的技术支持和交付资料。 ； 1.严格保护对应元器件的设计文件、版图数据及相关知识产权。 2.项目实施过程中应采取必要的数据安全和保密措施，未经授权不得泄露、转交或将相关技术资料用于本项目以外的用途。 ； 1.按照180 nm BCD 工艺平台的实际排期及项目计划开展流片工作。 2.自流片数据确认并具备流片条件后，按约定进度完成芯片制造与交付，并及时反馈关键进度信息。 3.具体流片日期期望在2027年1月底投出gds文件，交付日期在2027年4月底。 。 标的名称： 0.15um GaN HEMT 流片服务 数量/单位： 1个 预算金额（元）： 300000.00 采购目录： C99000000其他服务 需实现的主要功能或者目标： 功能：基于 0.15 μm GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）工艺平台开展集成电路流片，实现相关有源器件及电路设计方案的实物制造，满足科研项目对应的技术需求。 目标：流片服务应满足芯片设计与工艺平台的兼容性要求，支持元器件及电路的功能验证、关键电学/射频性能测试和科研实验，为后续性能评估、设计优化及相关技术研究提供实物支撑。 需满足的质量、服务、安全、时限等要求： 1.符合 0.15 μm GaN HEMT 工艺平台的技术规范和设计规则要求。 2.流片制造应依据确认后的设计数据及工艺方案实施，交付芯片的数量、规格和相关资料应符合约定要求，确保交付内容完整、质量可追溯。 ； 提供基于 0.15 μm GaN HEMT 工艺平台的芯片流片服务，包含流片数据接收与完整性检查、工艺兼容性确认、芯片制造、进度反馈及成品交付，并提供必要的技术支持和交付资料。 ； 1.严格保护相关元器件及电路的设计文件、版图数据及相关知识产权。 2.项目实施过程中应采取必要的数据安全和保密措施，未经授权不得泄露、转交或将相关技术资料用于本项目以外的用途。 ； 1.按照 0.15 μm GaN HEMT 工艺平台 的实际排期及项目计划开展流片工作。 2.自流片数据确认并具备流片条件后，按约定进度完成芯片制造与交付，并及时反馈关键进度信息。 3.具体流片日期期望在2027年1月底投出GDS文件，交付日期在2027年4月底。 。 标的名称： GaAs PIN 流片服务 数量/单位： 1个 预算金额（元）： 170000.00 采购目录： C99000000其他服务 需实现的主要功能或者目标： 功能：基于 GaAs PIN 工艺平台开展 PIN 二极管相关元器件流片，实现对应元器件设计方案的实物制造，满足科研项目对应的技术需求。 目标：流片服务应满足 PIN 元器件设计与制造的工艺兼容性要求，支持元器件功能验证、关键电学及射频性能测试和科研实验，为后续元器件性能评估、设计优化及相关技术研究提供实物支撑。 需满足的质量、服务、安全、时限等要求： 1.符合 GaAs PIN 工艺平台的技术规范和设计规则要求。 2.流片制造应依据确认后的设计数据及工艺方案实施，交付芯片或元器件的数量、规格和相关资料应符合约定要求，确保交付内容完整、质量可追溯。 ； 提供基于 GaAs PIN 工艺平台的器件流片服务，包含流片数据接收与完整性检查、工艺兼容性确认、元器件制造、进度反馈及成品交付，并提供必要的技术支持和交付资料。 ； 1.严格保护 PIN 元器件的设计文件、版图数据及相关知识产权。 2.项目实施过程中应采取必要的数据安全和保密措施，未经授权不得泄露、转交或将相关技术资料用于本项目以外的用途。 ； 1.按照 GaAs PIN 工艺平台 的实际排期及项目计划开展流片工作。 2.自流片数据确认并具备流片条件后，按约定进度完成芯片制造与交付，并及时反馈关键进度信息。 3.具体流片日期期望在2027年1月底投出GDS文件，交付日期在2027年4月底。 。 标的名称： 0.1um GaAs pHEMT 流片服务 数量/单位： 1个 预算金额（元）： 270000.00 采购目录： C99000000其他服务 需实现的主要功能或者目标： 功能：基于 0.1 μm GaAs pHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）工艺平台开展射频/微波集成电路流片，实现相关有源器件及电路设计方案的实物制造，满足科研项目对应的技术需求。 目标：流片服务应满足芯片设计与工艺平台的兼容性要求，支持元器件及电路的功能验证、关键射频性能测试和科研实验，为后续性能评估、设计优化及相关技术研究提供实物支撑。 需满足的质量、服务、安全、时限等要求： 1.符合 0.1 μm GaAs pHEMT 工艺平台的技术规范和设计规则要求。 2.流片制造应依据确认后的设计数据及工艺方案实施，交付芯片的数量、规格和相关资料应符合约定要求，确保交付内容完整、质量可追溯。 ； 提供基于 0.1 μm GaAs pHEMT 工艺平台的芯片流片服务，包含流片数据接收与完整性检查、工艺兼容性确认、芯片制造、进度反馈及成品交付，并提供必要的技术支持和交付资料。 ； 1.严格保护相关元器件及电路的设计文件、版图数据及相关知识产权。 2.项目实施过程中应采取必要的数据安全和保密措施，未经授权不得泄露、转交或将相关技术资料用于本项目以外的用途。 ； 1.按照 0.1 μm GaAs pHEMT 工艺平台 的实际排期及项目计划开展流片工作。 2.自流片数据确认并具备流片条件后，按约定进度完成芯片制造与交付，并及时反馈关键进度信息。 3.具体流片日期期望在2027年1月底投出GDS文件，交付日期在2027年4月底。 。 标的名称： 40nm CMOS MPW 流片服务 数量/单位： 1 Block 预算金额（元）： 800000.00 采购目录： C99000000其他服务 需实现的主要功能或者目标： 功能：基于40 nm CMOS 工艺平台开展多项目晶圆（MPW）流片，芯片版图尺寸为 3 mm × 4 mm，实现相关集成电路设计方案的实物制造，满足科研项目对应的技术需求。 目标：流片服务应满足芯片设计与 40 nm CMOS 工艺平台的兼容性要求，支持芯片功能验证、关键性能测试及科研实验，为后续电路性能评估、设计优化和相关技术研究提供实物支撑。 需满足的质量、服务、安全、时限等要求： 1.符合 40 nm CMOS 工艺平台及相应工艺设计套件（PDK）的技术规范和设计规则要求。 2.流片制造应依据确认后的设计数据及工艺方案实施，MPW 交付规格、数量及相关资料应符合约定要求，确保交付内容完整、质量可追溯。 ； 提供基于 40 nm CMOS 工艺平台的 MPW 流片服务，包含流片数据接收与完整性检查、工艺兼容性确认、MPW 制造、进度反馈及芯片交付，并提供必要的技术支持和交付资料。芯片切割、封装及测试等配套内容以实际采购范围和合同约定为准。 ； 1.严格保护芯片设计文件、版图数据、工艺资料及相关知识产权。 2.项目实施过程中应采取必要的数据安全和保密措施，未经授权不得泄露、转交或将相关技术资料用于本项目以外的用途。 ； 1.按照 40 nm CMOS 工艺平台 的实际排期及项目计划开展流片工作。 2.自流片数据确认并具备流片条件后，按约定进度完成芯片制造与交付，并及时反馈关键进度信息。 3.具体流片日期期望在2027年1月底投出GDS文件，交付日期在2027年4月底。 。 |
| 联系人 | 苏老师 |
| 联系电话 | 15858208656 |
| 备注 | / |
杭州电子科技大学
2026年10月29日
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
内容提要
杭州电子科技大学2026年10月至11月采购MPW流片服务，预算189万元，预计11月采购
关键信息
- 预算189万元，预计11月采购
- MPW流片服务，技术要求严格
- 具体流片日期期望2027年1月底投出GDS文件，交付日期2027年4月底
投标人资格要求
- 符合180 nm BCD 工艺平台的技术规范和设计规则要求
- 符合 0.15 μm GaN HEMT 工艺平台的技术规范和设计规则要求
- 符合 GaAs PIN 工艺平台的技术规范和设计规则要求
- 符合 0.1 μm GaAs pHEMT 工艺平台的技术规范和设计规则要求
原始公告：https://zfcg.czt.zj.gov.cn/site/detail?parentId=600007&articleId=Va3skDcmFVEaXhT…（本站内容整理自该公开页面，以原文为准）
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