浙江大学12寸流片晶圆更正公告
浙江大学12寸流片晶圆项目更正公告，变更采购文件技术参数和交付要求。
公告正文
一、项目基本情况
原公告的采购项目编号：ZJ-2663030-12G
原公告的采购项目名称：12寸流片晶圆
首次公告日期：2026年10月16日
二、更正信息
更正事项：采购文件
更正内容：
| 序号 | 变更项 | 变更前 | 变更后 |
|---|---|---|---|
| 1 | 第四章 用户需求 四、货物清单4.2技术参数 | 4.2 完成具有Si 0.8 Ge 0.2 埋入式源漏的CMOS器件的典型电学性能评估，pFET器件I dsat 优于12吋55 nm CMOS Baseline，交付12吋晶圆2片，并提供技术报告。 | 4.2 完成具有Si 0.8 Ge 0.2 埋入式源漏的CMOS器件的典型电学性能评估，pFET器件I dsat 优于12吋55 nm CMOS Baseline （标准：V g -V th =0.6 V时pFET的I dsat 达到200 µA/µm) ，交付12吋晶圆2片，并提供技术报告。 |
| 2 | 5.2 完成具有Si 0.65 Ge 0.35 埋入式源漏的CMOS器件的典型电学性能评估，pFET器件I dsat 与12吋55 nm CMOS Baseline相比提升40%以上，交付12吋晶圆2片，并提供技术报告。 | 5.2 完成具有Si 0.65 Ge 0.35 埋入式源漏的CMOS器件的典型电学性能评估，pFET器件I dsat 与12吋55 nm CMOS Baseline (标准：V g -V th =0.6 V时pFET的I dsat 达到200 µA/µm) 相比提升40%以上，交付12吋晶圆2片，并提供技术报告。 | |
| 3 | 6.2 完成具有Si 0.5 Ge 0.5 埋入式源漏的CMOS器件的典型电学性能评估，pFET器件I dsat 与12吋 55 nm CMOS Baseline相比提升75%以上，交付12吋晶圆2片，并提供技术报告。 | 6.2 完成具有Si 0.5 Ge 0.5 埋入式源漏的CMOS器件的典型电学性能评估，pFET器件I dsat 与12吋 55 nm CMOS Baseline (标准：V g -V th =0.6 V时pFET的I dsat 达到200 µA/µm) 相比提升75%以上，交付12吋晶圆2片，并提供技术报告。 | |
| 4 | 第四章 用户需求五、其他要求交付要求 | 1.交付样片：提供符合上述技术指标的12英寸晶圆，结构片共计150片，CMOS器件流片晶圆共计6片。 2.测试报告：提供6片CMOS器件流片晶圆对应的测试结果及测试报告（含材料表征与器件性能测试）。 3.技术文档：提交《硅锗埋入式源漏制造技术文档》、《硅锗埋入式源漏制造工艺集成与封装规范》等技术文档。 4.提供流片过程中的关键工艺参数（FDC）监控记录。 | 1.交付样片：提供符合上述技术指标的12英寸晶圆，结构片共计150片，CMOS器件流片晶圆共计6片。 2.技术报告：提供6片CMOS器件流片晶圆对应的技术报告。 |
更正日期：2026年10月23日
三、其他补充事宜
/
四、凡对本次公告内容提出询问，请按以下方式联系。
1.采购人信息
名 称：浙江大学
地址：杭州市西湖区余杭塘路866号
联系方式：李骏康 联系电话：15068835521 采购部门邮箱：cgzx1@zju.edu.cn
2.采购代理机构信息
名 称：浙江国际招投标有限公司
地 址：浙江省杭州市西湖区文三路90号1号楼3楼
联系方式：谢凯枫、谭策、周峰 联系电话：0571-89731841、0571-81061837、0571-89731840 质疑联系人：王麟； 电话：0571-81061839
3.项目联系方式
项目联系人：谢凯枫
电 话： 0571-89731841
内容提要
浙江大学12寸流片晶圆项目更正公告，变更采购文件技术参数和交付要求。
关键信息
- 变更采购文件技术参数和交付要求
原始公告：http://www.ccgp.gov.cn/cggg/zygg/gzgg/202610/t20261023_27548783.htm（本站内容整理自该公开页面，以原文为准）
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